[科学技术日报]甘浪松教授研究中心在创建9 nm光刻测试原型方面取得了另一项突破
资料来源：武汉光学国家研究中心：发行日期：2019年4月16日导航，1042次
4月10日，记者从武汉国家光电研究中心获悉，赣兰松中心研究小组使用自行研制的光致抗蚀剂的两光束激光器突破了光束的衍射极限。远场光学器件用于记录小至9 nm的光，线宽段可实现从超分辨率图像到非常有限的光刻技术的重大创新。
光刻设备是集成电路制造过程中的关键设备。传统紫外线（DUV）和超紫外线（EUV）光刻设备主要由荷兰ASML公司生产，该公司属于国内集成电路制造行业的“卡片颜色”技术。
2009年，Ganlansong的团队遵循德国科学家诺贝尔奖获得者Stefan W. Hull的超高分辨率荧光成像的基本原理，以及无需学习技术即可产生光的新途径开了
（9 nm线宽双光束超分区极限光刻测试原型）双光束超分区极限光刻技术与主流集成电路光刻机完全不同，并不断缩短波型光刻的长度，实现深紫外转换（DUV）波长193 nm？13）
极紫外（EUV）5纳米波长技术的发展之路。
Ganlans小组使用光致抗蚀剂材料为每种波长的光产生不同的光化学反应。在仔细设计之后，可以在第一波长激光束和第二波长激光下固化自显影的光致抗蚀剂。第二光束被零强度中心光调制，并且第一光束形成一个重合并作用在光敏电阻上，因此只有光心的第二中空部分是光刻法。最终，它愈合，远场打破了衍射极限。
（纳米机械化3D结构设计和实际光刻效果图）自从Gan Brownsong在2013年验证了技术原理以来，从商用原型到商用原型的开发一直很困难。
经过两年的技术和工程开发，团队克服了材料，软件和组件放置方面的三个难题。
已经开发了各种光保护剂，包括有机树脂，半导体材料，金属等，并且它们具有比外国保护剂更好的总体性能。最合适的双光束超分辨率光刻原理解决了技术支持的单型光电保护器的问题。
它可以集成用于设计和制造微纳3D设备结构的软件，并且可以在无监督的情况下智能制造。
同时，双方合作确定了原型系统的关键组件，例如飞秒激光器和物镜，并确认国产组件的性能优于国外同类产品。。
当前，双光束超衍射极限光刻系统主要用于微米/纳米器件的3D光学制造。将来，在进一步提高器件性能和解决重要问题（例如生产速度）之后，有望将该技术应用于集成电路的生产。
冈恩·布朗森（Gunn Brownson）表示，最重要的事情是打破由3D微纳米光创造的外国技术的垄断。在这一领域，从材料和软件到光学和机械零件的人员将不受影响。